望百人生,吴自良与材料打了一辈子交道,材料事业是他毕生的追求,直至人生的最后时刻他都不曾停下工作的脚步。他始终期许自己以一种积极的精神面貌紧跟时代前进的步伐,“国家的需要就是我的研究方向”,永攀科学的高峰,为国家和民族的复兴作出自己的贡献。吴自良曾说:“我是属蛇的,离属马只差二十几天。我更愿自己属马,一匹老马,‘老骥伏枥,志在千里’。”所以,逐渐步入高龄的吴自良,也依旧每天“马不停蹄”地想着要为科研事业再多做些什么,要为祖国再多奉献些什么,才对得起自己、对得起人民和国家。
70年代,吴自良已年近六旬,文革后他重返科研岗位,继续专注于大规模集成电路用硅材料的品质因素和材料工艺方面的研究。针对半导体器件和大规模集成电路成品率低和可靠性差的状况,他开始进行调查研究,在其组织推动、倾力指导下,单项工艺和硅材料品质因素的研究便得以迅速开展,“S1O2胶体抛光工艺”、“9微米红外吸收法测定硅单晶中氧含量的标空曲线”、“大规模集成电路用硅单晶的氧本征吸杂研究”等一系列成果在行业逐渐推出、极具影响,还分别获得中国科学院和上海市的科技进步奖。
1988年后,吴自良转向研究高温超导体YBa2Cu307-x中的氧扩散机制。八九十年代的数年,已过古稀之年的他,仍带着几位博士研究生一同攻关氧化物高温超导材料中氧的扩散和作用的研究,每天不顾高龄,阅读海量外文文献,指导着一次又一次的实验。他说:“党和人民给予我这么高的荣誉,我一定要发扬当年研制“两弹一星”的精神,继续攀登世界科技高峰,为祖国的现代化建设做出更大的贡献。”最终,吴自良带着博士生们在粉末烧结块样品中,用内耗法测得精确的氧扩散率和扩散激活能,广为各家引用;在磁控溅射C-取向外延薄膜中,发现膜中的高增氧速度,依赖垂直于C-轴的小角度晶界刃位错管道所提供的快速氧输运,发表论文受到国内外同行倍加关注和好评。
吴自良上课